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Artisan DDR PHY 解决方案

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ARM® DDR 接口 IP 为广泛的内存子系统(从高速任务关键应用直至低功耗内存子系统)提供了全面的定时解决方案。这些可靠的硅验证接口已优化,可在最低的功耗和面积下提供最高的带宽。

 

 

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DDR PHY 解决方案提供了基于多种标准的高速并行接口物理解决方案,符合 DDR3、DDR2、LPDDR 和 LPDDR2 等关键行业标准。Artisan DDR PHY 解决方案针对代工厂和工艺进行了优化,以提供市场领先的性能、功耗和面积。

ARM Artisan DDR PHY 主要优点

  • 将基于 ARM 的 SoC 的全面内存接口解决方案与 ARM Corelink 系列内存控制器相结合
  • 确保实现具有最高的带宽、最低的延迟以及最低的功耗配置,而不会牺牲灵活性
  • 利用成熟的架构和经过硅验证的技术,缩短上市时间
  • 由经验丰富的支持团队提供支持,将长期大批量生产的解决方案的风险降至最低。

ARM DDR 内存接口 IP 为从 LPDDR 到 DDR3 的广泛应用提供了全面的解决方案。针对从 100Mbps 到最高 1.6 Gb/s 的数据速率,ARM DDR 接口 IP 为 SoC 提供了最佳功耗/性能解决方案,可确保在各种封装和系统配置下可靠运行。PHY 包含构建 DDR 接口所需的所有模拟和数字块。ARM 可降低设计风险,并确保在各个块和系统其余部分之间进行无缝集成。

DDR 接口可处理各种电压、温度、工艺、封装和系统变化,同时确保在 SoC 和片外内存之间进行可靠的信号传输。它包含片上补偿电路和电源去耦功能,以提高抗电源噪声的能力和减少信号抖动。

ARM DDR 接口 IP 在低能耗方面也是驾轻就熟,从 SoC 级别一直到单个电路级别,可全部实现低能耗运行。各种低能耗技术与能够感知流量的接口相结合,可大大降低 DDR 接口能耗。


性能
  • 符合 JEDEC 标准(DDR、DDR2、LPDDR、DDR3)
  • 运行速度高达 1.6Gbps
  • 严格偏差规格与最小传播延迟
  • 优化面积以减少芯片尺寸
  • 可靠的 ESD 结构 2000V HBM 和 200V MM

规格
  • 多种标准支持 LPDDR、LPDDR2、DDR2 和 DDR3
  • IP 之间的无缝互操作性
  • 可调整的压摆率与驱动强度
  • 低延迟及可编程计时
  • 可靠的 ESD,支持全速设计
  • PVT 补偿和计时校准
  • 速度测试性
  • 低信号抖动以及极佳的噪声抑制

可以在复杂 SoC 设计中使用 ARM DDR PHY 和 I/O 接口 IP,这需要在设计中使用很多类型的 IP。除了 DDR PHY 和 I/O IP 以外,ARM 还提供了各种兼容的处理器到管脚 IP 以开发您的 SoC,包括 ARM 处理器多媒体系统物理 IP


请访问 DesignStart 以查找适用于您的 SoC 的 ARM IP 解决方案并立即开始设计。
ARM 物理 IP   ARM 处理器 IP   ARM 系统 IP   ARM 多媒体 IP  
通用 I/O Cortex-A9 内存控制器 Mali-400
专用 I/O Cortex-A5 系统控制器 Mali-200
逻辑 Cortex-R4 外设 Mali-VE6
嵌入式内存  Cortex-M3 调试和跟踪 Mali-VE3














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