Cortex-R4 是为在高级硅工艺(从 90 纳米到 20 纳米,甚至更低)上实现而设计的,重在实现更高能效,实时响应性,高级特性以及系统设计简易化。基于 40 nm G 工艺的 Cortex-R4 可在几乎 1 GHz 的频率下运行,此时它可提供超过 1,500 Dhrystone MIPS 的性能。此处理器提供了高度灵活且高效的双周期本地内存接口,可使 SoC 设计人员最大限度地降低系统成本和能耗。
下图对基于 90 nm G 工艺实现的 Cortex-R4 与经典 ARM 处理器的 Dhrystone 基准性能进行了比较。Cortex-R4 的配置选项可以进行选择以最大限度地减少处理器的芯片面积,重要的是这还可以最大限度地降低漏泄功率。
Cortex-R4 性能更好、能效更高

Cortex-R4 与以前的 ARM9 和 ARM11 处理器相比具有其他许多显著优势:
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内核 |
ARM946E-S |
ARM1156T2-S |
Cortex-R4 |
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架构 |
ARMv5TE |
ARMv6T2 |
ARMv7-R |
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预取单元 |
否 |
指令预取和分支预测 |
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超标量执行 |
否 |
双执行指令 |
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Thumb-2 指令 |
否 |
是 |
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浮点支持 |
VFP9 |
VFP11 |
已集成 (Cortex-R4F) |
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总线接口 |
AMBA AHB |
AMBA3 AXI |
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紧密耦合内存 (TCM) |
基本 |
代码和数据分离 |
完全灵活 |
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中断 |
ARMv5 |
ARMv6 增强功能、NMI |
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软错误管理 |
否 |
针对所有 RAM 的可选奇偶校验和 ECC |
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内存保护单元 (MPU) |
8 个区域 |
16 个区域 |
12 个区域 |
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最小区域大小 |
4k 字节 |
32 字节,重叠区域 |
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合成可配置性 |
否 |
I 和 D 高速缓存。0 或 2 个 TCM。软错误处理。MPU |
I 和 D 高速缓存。0、1、2 或 3 个 TCM。FPU。软错误处理。MPU。AXI 从属设备 |








