标准单元库

• 不同的架构乃基于不同的轨道高度和单元设计，涵盖了较宽的性能、功耗和面积范围      
  • 高性能库比高密度主流库快 20%
  • 基于最小单元高度的超高密度版本需要的面积和能耗比主流库少 20%

• 所有库均在不同电压和温度条件下进行硅测试，并与库模型相关联 
  • 低电压硅验证可确保在低能耗应用中正常运行

较大的单元集，可确保按最佳方式实现所有类型的设计 

• 每个 Vt 或通道长度 1250 个单元（32/45 纳米）
• 在更成熟的技术中使用较小的单元集
• 各种不同的专用单元，如时钟门控单元和去耦电容器

针对性能范围/应用优化的单元集 

• 手工调整和制作的单元设计，以达到最高密度和路线可行性 
• 用于性能 - 能耗优化的多 Beta (P:N) 晶体管比率
• 用于所有 65 纳米和更小尺寸的库以及选定 180 到 90 纳米库的无分接单元设计
• 65 纳米和更大尺寸使用 M1 电源轨道
• 45 纳米和更小尺寸使用 M2 电源轨道，以便为限制设计规则提供最佳支持
• 在选定工艺节点中为高性能库提供应变优化布局

领先设计流程和模型支持

• CCS 计时、噪声和能耗；ECSM、Voltage Storm、Celtic 和其他专用模型
• 最新的 DRC 规则和电子模型  

广泛的 PVT Corner

• 多 Vdd 描述
• 驱动过度电压支持
• 逆温 Corner 支持
• 高漏电 Corner（90 纳米及以下的标准配置）
• 自定义 PVT 支持

ARM 处理器选择器简要说明了各种 ARM 处理器和工艺节点和类型的性能、面积和功耗数字

对于某些 ARM 处理器，可以使用专用标准单元库和其他优化的物理 IP：

由于 ARM 标准单元库的性能范围较宽，并且为不同工艺选项和节点提供了广泛支持，因此，设计人员可以获得所有 ARM 处理器、多媒体和系统 IP 的最佳实现。下表提供了一些 IP 选择准则。 

产品简介

• Common Platform 32 纳米 LP 物理 IP 手册
• TSMC 40 纳米 G 物理 IP 手册
• GLOBALFOUNDRIES 65LPe 物理 IP 手册
• TSMC 180ULL 物理 IP 手册