SRAM

• 根据存储体大小、bit cell 选项、Vt 和低压运行方式，可以选用几种不同的高速和高密度内存。
• 高速内存用于性能关键设计；使用 28 纳米技术时，范围最高可达 2.5 GHz。高速内存平均比高密度内存快 30%。

• 高密度内存比高速内存小 30%，设计用于提高阵列效率。这些内存针对的是主流和成本敏感应用；使用 28 纳米技术时，可达到 7000 Kbit/mm²

• 与标准内存相比，低能耗内存将泄漏电流最多减少 30%。 这些内存针对的是能耗敏感手持市场。
• 具有多种电源管理模式；与标准模式相比，关闭模式可将泄漏最多减少 20 倍

• 在所有早期节点以及任何新主流尺寸中支持电网。 在成熟节点中支持多种电力环选项。
• 最多使用和包括金属 3/4，具体取决于编译器。
• 为分区位提供灵活的写掩码选项，并降低读/写能耗。

32 纳米 SRAM 内存编译器

40/45 纳米 SRAM 内存编译器

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产品简介

• Common Platform 32 纳米 LP 物理 IP 手册
• TSMC 40nm G 物理 IP 手册
• GLOBALFOUNDRIES 65LPe 物理 IP 手册
• TSMC 180ULL 物理 IP 手册