ROM

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ARM^® 内存 IP 解决方案包括扩散层和过孔/接触可编程 ROM，适用于高密度和低能耗应用。ROM 编译器来自超过 15 个不同的代工厂，并采用 65 个不同的工艺参数（28 到 250 纳米）

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资源

ROM（只读内存）用于在 SoC 或其他集成电路应用中永久存储数据。ARM 提供了通过可编程 ROM 和扩散可编程 ROM，从而在设计应用中提供最大的灵活性。

高密度和低能耗 ROM 内存，适用于 BOOT 代码
为所有领先 EDA 供应商提供广泛的支持，以确保缩短上市时间；灵活的商业模式（如“免费库计划”和“先试后买”），可将拥有成本降至最低
针对多个子范围优化的内存子电路，可提供接近于定制设计的能耗、性能和面积
由知识渊博的客户支持团队（位于多个时区）为 IDM、无晶圆初创企业、IC 公司以及设计公司提供支持，将他们使用的 ARM 内存解决方案的风险降至最低

高密度内存比高速内存小 30%，设计用于提高阵列效率。这些内存针对的是主流和成本敏感应用；使用 28 纳米技术时，可达到 7000K 比特/平方毫米

与标准内存相比，低能耗内存将泄漏电流最多减少 30%。这些内存针对的是能耗敏感手持市场。具有多种电源管理模式；与标准模式相比，关闭模式可将泄漏最多减少 20 倍

根据代工厂、尺寸和款式，寄存器文件编译器支持多种功能以确保按最佳方式实现所有类型的设计

主要功能	优点
高密度和低能耗体系结构	最大限度减少晶元面积以降低晶元和封装成本
多种电源管理模式，具有电源门控以及多种电压运行方式	灵活的电源管理，可降低封装成本，提高产品竞争力以及延长电池使用寿命
灵活的裕度功能	折衷考虑产量/性能
可选的集成管道	实现较高的吞吐量
软错误修复	实现产量优化
高级测试功能	提高了产品质量并最大限度降低返修率
伪扫描	1. 将测试时间大幅减少了几个数量级，从而大大降低总体产品测试成本 2. 提高了产品质量并降低了废品率

在所有早期节点中支持电网（90 纳米及以下）。在成熟节点中支持多种电力环选项。
金属 4 作为顶部的金属层。

32 纳米 ROM 编译器
内存解决方案	体系结构	最大尺寸	多路复用器
ViaROM	高密度	1M 位	8、16、32

40/45 纳米 ROM 编译器
内存解决方案	体系结构	最大尺寸	多路复用器
ViaROM	高密度	1M 位	8、16、32

可以在复杂 SoC 设计中使用 ARM ROM（只读内存）嵌入式内存 IP，这需要在设计中使用很多类型的 IP。除了 ROM IP 以外，ARM 还提供了各种兼容的处理器到衬垫 IP 以开发您的 SoC，包括 ARM 处理器、多媒体、系统和物理 IP。

请访问 DesignStart 以查找适用于您的 SoC 的 ARM IP 解决方案并立即开始设计。

ARM 物理 IP	ARM 处理器 IP	ARM 系统 IP	ARM 多媒体 IP
SRAM 内存	Cortex-A9	外设	Mali-400
寄存器文件内存	Cortex-A5	内存控制器	Mali-200
逻辑	Cortex-R4	系统控制器	Mali-VE6
接口	Cortex-M3	调试和跟踪	Mali-VE3