寄存器组

• 根据存储体大小、位单元选项、Vt 注入和低压运行方式，可以选用几种不同的高速和高密度寄存器组。
• 高速内存用于高速设计，可能涉及多个 GHz 范围。高速内存比高密度内存快 30%。

  

• 高密度内存比高速内存小 20%，设计用于提高阵列效率。这些内存针对的是主流和成本敏感应用。

  

• 超高密度双端口寄存器组将面积减少了 50%。
• 低能耗内存将泄漏电流最多降低 30%。这些内存针对的是能耗敏感手持设备。
• 具有多种电源管理模式，关闭模式可将泄漏最多减少 20 倍。
  
  

• 根据代工厂、尺寸和款式，寄存器文件编译器支持多种功能以确保按最佳方式实现所有类型的设计  

• 在所有早期节点中支持电网（90 纳米及以下）。在成熟节点中支持多种电力环选项。
• 第四层金属为使用到的最上层金属层。
• 为分区位提供灵活的写掩码选项。

请访问 DesignStart 以查找适用于您的 SoC 的 ARM IP 解决方案并立即开始设计。

立即开始使用 DesignStart 进行设计！

产品简介

• Common Platform 32 纳米 LP 物理 IP 手册
• TSMC 40nm G 物理 IP 手册
• GLOBALFOUNDRIES 65LPe 物理 IP 手册
• TSMC 180ULL 物理 IP 手册