寄存器文件

ARM 在各种不同的体系结构中提供单端口、双端口和超高密度双端口寄存器文件编译器，以支持所有类型的 SoC 设计的较宽性能范围。设计人员可以选择高密度和高速寄存器文件，以针对速度、能耗和/或面积优化其设计。ARM^® 寄存器文件内存编译器来自超过 15 个不同的代工厂，并采用 65 个不同的工艺参数（28 到 250 纳米）

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为什么选择寄存器文件？

性能

规格

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资源

寄存器文件内存用于临时存储信息，通常比标准 SRAM 内存尺寸小，并提供较高的性能和面积利用率。ARM 寄存器文件内存 IP 包含专用的读/写端口并具有单端口和双端口版本，通常应用于一级高速缓存解决方案、临时缓冲区或 SoC 设计中需要较小内存实例的场合。

用于速度关键设计的高速内存，并适用于一级高速缓存应用
用于主流和成本关键应用的高密度内存
针对面积/能耗关键 SoC 的超高密度双端口寄存器文件
为所有领先 EDA 供应商提供广泛的支持，以确保缩短上市时间
灵活的商业模式（如“免费库计划”和“先试后买”），可将拥有成本降至最低
针对多个子范围优化的内存子电路，可提供接近于定制设计的能耗、性能和面积
由知识渊博的客户支持团队（位于多个时区）为 IDM、无晶圆初创企业、IC 公司以及设计公司提供支持，将他们使用的 ARM 内存解决方案的风险降至最低

根据存储体大小、位单元选项、Vt 注入和低压运行方式，可以选用几种不同的高速和高密度寄存器文件。
高速内存用于速度关键设计，可能涉及多个 GHz 范围。高速内存比高密度内存快 30%。

高密度内存比高速内存小 20%，设计用于提高阵列效率。这些内存针对的是主流和成本敏感应用。

超高密度双端口寄存器文件将面积减少了 50%。
低能耗内存将泄漏电流最多降低 30%。这些内存针对的是能耗敏感手持设备。
具有多种电源管理模式，关闭模式可将泄漏最多减少 20 倍。

根据代工厂、尺寸和款式，寄存器文件编译器支持多种功能以确保按最佳方式实现所有类型的设计

主要功能	优点
高性能体系结构，并折衷考虑了密度/性能	最大限度减少晶元面积并降低晶元成本
多种电源管理模式，具有电源门控以及多种电压运行方式	灵活的电源管理，可降低封装成本，提高产品竞争力以及延长电池使用寿命
全面的冗余计划	实现产量优化
灵活的裕度功能	折衷考虑产量/性能
可选的集成管道	实现较高的吞吐量
软错误修复	实现产量优化
高级测试功能	提高了产品质量并最大限度降低返修率
伪扫描	1. 将测试时间大幅减少了几个数量级，从而大大降低总体产品测试成本 2. 提高了产品质量并降低了废品率

在所有早期节点中支持电网（90 纳米及以下）。在成熟节点中支持多种电力环选项。
金属 4 作为顶部的金属层。
为分区位提供灵活的写掩码选项。

32 纳米寄存器文件内存编译器
内存解决方案	体系结构	最大尺寸	多路复用器选项
单端口 RF	高速	32K 位	4、8、16、32
单端口 RF	高密度	288K 位	2、4、8、16、32
高密度双端口 RF	高密度	80K 位	1、2、4
超高密度 RF	高密度	32K 位	2、4

40/45 纳米寄存器文件内存编译器
内存解决方案	体系结构	最大尺寸	多路复用器选项
单端口 RF	高速	32K 位	2、4、8
单端口 RF	高密度	144K 位	2、4、8
双端口 RF	高密度	72K 位	1、2、4

可以在复杂 SoC 设计中使用 ARM 寄存器文件嵌入式内存 IP，这需要在设计中使用很多类型的 IP。除了寄存器文件 IP 以外，ARM 还提供了各种兼容的处理器到衬垫 IP 以开发您的 SoC，包括 ARM 处理器、多媒体、系统和物理 IP。

请访问 DesignStart 以查找适用于您的 SoC 的 ARM IP 解决方案并立即开始设计。

ARM 物理 IP	ARM 处理器 IP	ARM 系统 IP	ARM 多媒体 IP
SRAM 内存	Cortex-A9	外设	Mali-400
只读内存	Cortex-A5	内存控制器	Mali-200
逻辑	Cortex-R4	系统控制器	Mali-VE6
接口	Cortex-M3	调试和跟踪	Mali-VE3