Cortex-R4は、エネルギー効率、リアルタイム応答性、高度な機能、および容易なシステム設計の強化に重点を置き、90 nmから28 nm以降までの先進のシリコン プロセスで実装するように設計されています。 40 nm Gプロセスでは、Cortex-R4をほぼ1 GHzで稼働するように実装して、1,500 Dhrystone MIPSを超すパフォーマンスを実現できます。このプロセッサは非常に柔軟で効率的な2サイクルのローカル メモリ インタフェースを備えているため、SoC設計者はシステム コストとエネルギー消費を最小限に抑えることができます。
以下の図では、Cortex-R4と、90 nm Gプロセスで実装されたClassic ARMプロセッサのDhrystoneベンチマーク性能を比較しています。 Cortex-R4のコンフィギュレーション オプションを選択して、プロセッサのダイ面積を最小化できます。重要なことは、それによりリーク電力も最小限に抑えられることです。
Cortex-R4の高い性能、高い電源効率

Cortex-R4には、以前のARM9およびARM11プロセッサよりも多くの優れている点があります。
コア | ARM946E-S | ARM1156T2-S | Cortex-R4 |
|---|---|---|---|
アーキテクチャ | ARMv5TE | ARMv6T2 | ARMv7-R |
プリフェッチ ユニット | なし | 命令のプリフェッチと分岐予測 | |
スーパースカラ実行 | なし | デュアル発行命令 | |
Thumb-2命令 | なし | あり | |
浮動小数点のサポート | VFP9 | VFP11 | 内蔵(Cortex-R4F) |
バス インタフェース | AMBA AHB | AMBA3 AXI | |
密結合メモリ(TCM) | 基本 | コードとデータで独立 | 完全に自由 |
割り込み | ARMv5 | ARMv6の拡張機能、NMI | |
ソフト エラーの管理 | なし | すべてのRAMのパリティおよびECC(オプション) | |
メモリ保護ユニット(MPU) | 8領域 | 16領域 | 12領域 |
最小の領域サイズ | 4kバイト | 32バイト、重複領域 | |
合成のコンフィギュラビリティ | なし | IキャッシュとDキャッシュ。 0または2個のTCM。 ソフト エラー処理。 MPU | IキャッシュとDキャッシュ。 0、1、2、または3個のTCM。 FPU。 ソフト エラー処理。 MPU。 AXIスレーブ |








