SRAM

• バンク サイズ、ビットセルの選択、Vtのインプラント、および低電圧動作に基づいて、高速および高密度メモリを選択できます。
• 高速メモリは、28 nmテクノロジで最大2.5 GHzに及ぶパフォーマンスが重視される設計向けです。 高速メモリは、高密度メモリに比べて、平均30%高速です。

• 高密度メモリは、高速メモリに比べ30%小型で、配列効率の高い設計となっています。 メインストリーム アプリケーションおよびコストが重視されるアプリケーションをターゲットとするこれらのメモリは、28 nmテクノロジで最大7,000 kビット/mm²を実現します。

• 低電力メモリでは、標準メモリに対してリーク電流が最大30%削減されます。 これらのメモリは、電力が重視されるハンドヘルド市場をターゲットとしています。
• 複数のパワー マネジメント モードが用意されており、パワー ダウン モードでは、通常のスタンバイ モードに比べ最大で20倍のリークの低減が可能です。

• パワー グリッドは、新しいメインストリーム ジオメトリとすべての先端ノードでサポートされます。 成熟したノードでは、パワー リングのための複数のオプションがサポートされます。
• コンパイラに応じて、メタル3/4までが使用されます。
• ビットをパーティション化し、読み出し/書き込み電力を削減するための柔軟な書き込みマスク オプション。

32 nm SRAMメモリ コンパイラ

40/45 nm SRAMメモリ コンパイラ

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製品の概要

• コモン プラットフォーム32 nm LPフィジカルIPのパンフレット
• TSMC 40 nm GフィジカルIPのパンフレット
• GLOBALFOUNDRIES 65LPeフィジカルIPのパンフレット
• TSMC 180ULLフィジカルIPのパンフレット